Ge2, GaAs va ZnSe ning Bi dagi eruvchanligining haroratga bog‘liqligini taxlil qilish
Keywords:
Suyuq fazadan epitaksiyalanish, qattiq qorishmalar, vismut eritmasi, molekulyar diffuziya, Ge₂, GaAs, ZnSe, eruvchanlik, kristallanish, to‘yingan eritmaAbstract
Ushbu maqolada Bi (vismut) asosidagi aralashma eritmalar yordamida qattiq qorishmalarni suyuq fazadan epitaksiyalash jarayoni o‘rganildi. Asosiy e’tibor (Ge₂)₁₋ₓ₋ᵧ(ZnSe)₁₋ₓ(GaAs₁₋δBiδ)ᵧ turdagi qattiq qorishmalarning o‘sish sharoitlari va struktura xossalariga qaratildi. Aralashma eritmada komponentlarning eruvchanligi, eritma tarkibi va o‘sish tezligining qatlam strukturasiga ta’siri eksperimental tarzda tahlil qilindi. Tadqiqotlar vismut eritmasida Ge₂, GaAs va ZnSe ning molekulyar diffuziya asosida o‘sishini va aralashma eritmaning to‘yinganlik darajasining muhimligini ko‘rsatdi. Harorat, sovitish tezligi va substratlar orasidagi masofa kabi texnologik parametrlarning epitaksiyalanish jarayoniga ta’siri baholandi.
Downloads
References
1. Зайнабидинов С.З., Бобоев А.Й. «Структурные особенности твердого
раствора (GaAs)1-x(Ge2)х» // ЁОФТРИА- II. Тошкент. 2022,
2. Бобоев А.Й., Одилов Ш.И., Уринбоев Ж.А., Турсунов Ш.У., Марифжонов
К.Х., Солиев А.А. Структурные особенности твердого раствора (GaAs1-
Bi)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y // Экономика и социум. 2021. №6 (85)
3. Бобоев А.Й. «Температурные зависимости электрических свойств
nGaAs-p(GaAs)1-х-у(ZnSe)х(Ge2)у гетероструктур» //Ёш олимлар илмийамалий конференция - 2015 // Маъруза тезислари тўплами. Тошкент. 2015
4. Бобоев А.Й., Хамраева Р.Н., Рустамова В.М. «Формирование
нанокристаллов Ge и ZnSe в эпитаксиальной пленки (GaAs)1-xy(Ge2)x(ZnSe)y» // «Физические методы в естественных науках».
Новосибирск. 2024, 11–18 апреля, с. 10.
